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李颖弢
基于金属氧化物材料的新型非挥发性阻变存储器器件研究；金属氧化物二极管研究；高密度阻变存储器集成研究。
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- 姓名：李颖弢
- 目前身份：
- 担任导师情况：
- 学位：
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学术头衔：
- 职称：-
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学科领域：
微电子学
- 研究兴趣：基于金属氧化物材料的新型非挥发性阻变存储器器件研究；金属氧化物二极管研究；高密度阻变存储器集成研究。
李颖弢，男，现任教于兰州大学物理科学与技术学院，微电子研究所。目前主要从事新型非挥发性阻变存储器器件以及高密度阻变存储器集成研究。发表SCI相关学术论文40多篇，其中第一作者发表SCI论文10多篇。主持国家自然科学基金项目1项，教育部博士点基金1项。
受教育经历：
2006/09-2011/06，兰州大学，物理科学与技术学院，博士;
2002/09-2006/06，兰州大学，物理科学与技术学院，学士。
研究工作经历：
2011/07-至今，兰州大学，物理科学与技术学院;
2008/07-2011/06，兰州大学物理科学与技术学院，中国科学院微电子研究所，联合培养博士研究生;
2006/09-2008/06，兰州大学，物理科学与技术学院，硕士研究生。
主要研究方向：
(1)基于金属氧化物材料的新型非挥发性阻变存储器器件研究;
(2)金属氧化物二极管研究;
(3)高密度阻变存储器集成研究。
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【期刊论文】A self-rectifying bipolar RRAM device based on Ni/HfO2/n+-Si structure
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【期刊论文】Bipolar one diode–one resistor integration for high-density resistive memory applications
李颖弢
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【期刊论文】Improvement of resistive switching characteristics in ZrO2 film by embedding a thin TiOx layer
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【期刊论文】Improvement of Resistive Switching Uniformity in TiOx Films by Nitrogen Annealing
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【期刊论文】 Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices
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