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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究*

张晓霞, 潘炜, 罗斌, 邓果, 李孝峰, 陈建国

半导体学报,2005,26(2):357~362,-0001,():

摘要

基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)双稳模型,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现。结果表明,在阈值附近(大于阈值的93%)和初始相位失谐量为负的情况下,输出光功率出现双稳态。偏置电流为阈值的98%时,输入光功率在515μW和212μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好。同时,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律。

关键词: 半导体光放大器, VCSOA, 双稳态, 开关功率, 双稳环简并

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2007年05月28日

【期刊论文】Domain configuration and dielectric properties of Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films

杨传仁, Chunlin Fu, Chuanren Yang, Hongwei Chen, Liye Hu, Linshan Dai

C. Fu et al. Applied Surface Science 252 (2005) 461-465,-0001,():

摘要

暂无

关键词: Barium strontium titanate, Thin film, Domain, Hysteresis loop, Capacitance-voltage

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2005年06月22日

【期刊论文】MFIS结构的C-V特性*

汤庭鳌, 颜雷, 黄维宁, 姜国宝, 钟琪, 汤祥云

半导体学报,2000. 21(12)1204-1207,-0001,():

摘要

研究了运用SOI-GEL方法制备的Au/PZT(铅锆钛)/ZrO 2/si结构电容即MFIs(Met-ric/Insulator/Semiconductor)电容的方法,并对其进行了SEM、C-V特性测试及 zrO2介质层介电常数分析。研究了c-V存储窗口(Memoty window)电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系,得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7-10左右,在外加电压-5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右。

关键词: 不挥发非破坏性读出铁电存储器, 存储窗口, 铁电薄膜, 电滞回线

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2005年07月15日

【期刊论文】Appl ication of Fractal Theory in Simulation of Ferromagnetic Elements' Hysteresis Loop in Transformer

付梦印, BI Jun FU Mengyin ZHANG Yuhe

Journal of Beijing Institute of Technology, 2003, 12 (2): 113~118,-0001,():

摘要

暂无

关键词: fractal theory, hysteresis loop transformer simulation

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2007年05月31日

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