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2009年08月31日

【期刊论文】双、单光束互换光学头方光斑激光直写系统设计

陈林森, 解剑峰, 沈雁, 邵洁, 汪振华, 胡元

中国激光,2005,32(4):487~491,-0001,():

摘要

设计了一种具有方形光斑的新型激光直写系统,用双远心投影透镜组获得方形光斑并以逐点光刻模式运行,改善了衍射图形光刻质量,提高了系统运行效率。该系统具有双、单光束互换功能,双光束干涉用于衍射光变图像的直写,单光束进行二元衍射元件的光刻,实现了不同特性的衍射器件输出,从而解决了在同一幅光刻胶干板 上同时进行具有微米量级干涉条纹的衍射光变图像和二元相位图形的直写问题。双光束干涉调制的衍射图像分辨率达到2540dpi,方光束点尺寸为5~20μm。给出了光变衍射图像和两台阶二元相位编码图形的制作结果。

关键词: 信息光学, 直写 二元光学, 衍射图像, 干涉光学头

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2009年08月31日

【期刊论文】一种二元整形元件激光直写方法的实验研究*

陈林森, 邵洁, 王雪辉, 徐兵, 解剑峰, 沈雁

光子学报,2005,34(3):346~349,-0001,():

摘要

为了实现具有复杂位相结构的二元光束整形元件,提出了采用方光点的激光直写系统来逐点光刻浮雕位相结构的方法,通过双远心投影缩微光路获得5~20μm方点,光点尺寸对应于最小位相单元,从而获得了位相结构的高质量直写1 分析了高斯光点和方光点位相单元结构对二元整形元件衍射效率的影响,方形两台阶二元整形元件的+1级衍射效率达到31%,给出了实验结果。

关键词: 二元光学, 衍射, 位相编码, 激光直写

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2009年08月31日

【期刊论文】干涉型激光直写制作光学可变图像的优化方法*

陈林森, 邵洁

仪器仪表学报,2003,24(4):626~646,-0001,():

摘要

分析了用干涉型激光直写技术制作光学可变图像的优点,为达到最佳图像质量和最短运行时间,针对不同类型的图像提出光刻轨迹按光栅取向连续曝光和控制光电开关的通断不连续曝光的两种优化运行式,并给出了实验比较结果。

关键词: 激光直写 光学可变元件, 干, 涉, 光, 栅, 衍射效率

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2009年08月31日

【期刊论文】激光直写技术应用于隐形图像烫金箔研制23

陈林森, 陆志伟, 周望, 孙菁, 胡元

,-0001,():

摘要

用电子束逐行扫描方法刻蚀衍射光学元件的浮雕结构精度高而速度低。提出了一种采用逐点激光直写浮雕位相结构方法来产生具有隐形图像反射二元整形元件,指出用方点光刻位相结构有利于衍射效率的提高。在激光烫金箔上制作具有隐形图像功能的二元整形位相结构再现图像的+1级衍射效率可达12%-21%,给出了实验结果。

关键词: 激光直写 光束整形信息隐藏, 位相编码

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2006年04月12日

【期刊论文】功能结构器件的离散-堆积制造方法

颜永年, CHEN Lifeng, YAN Yongnian

中国机械工程,2003,14(1):1~4,-0001,():

摘要

功能结构器件的加工过程要求实现多种材料组分的梯度分布和内部微结构的构造。通用的自顶而下、整体控制局部的制造方法有着很大的局限性。快速成形技术提出了离散-堆积的降维制造思想,在直写技术的辅助下,可以通过对材料的微单元操作,实现功能结构器件的堆积制造。

关键词: 快速成形, 直写 M EM S, 组织工程, 功能梯度材料

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2010年03月10日

【期刊论文】亚65nm及以下节点的光刻技术

汪辉, 徐晓东

半导体技术,2007,32(11):921~925,-0001,():

摘要

由于193nm浸入式光刻技术的迅速发展,它被业界广泛认为是65nm和45nm节点首选光刻技术。配合双重曝光技术,193nm浸入式光刻技术还可能扩展到32nm节点,但是光刻成本会成倍增长,成品率会下降。随着ASML在2006年推出全球第一款EUV曝光设备,人们纷纷看好EUV技术应用到32nm及以下节点,但是它仍需克服很多技术和经济上的挑战。对于22nm节点,电子束直写是最可行,成本最低的候选方案,业界将在它与EUV技术之间做出抉择。

关键词: 亚65nm, 浸入式光刻, 极紫外线, 电子柬直写 分辨率增强技术

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