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2011年03月28日
姚江宏， 陈亚辉， 颜博霞， 邓浩亮， 孔勇发， 陈绍林， 许京军， 张光寅
物理学报，2004，53（12）：4369～4372，-0001，（）：
基于畴背向反转效应，利用外加短脉冲极化电场，通过对脉冲宽度、脉冲间隔以及脉冲个数的有效控制，在掺5mol%镁的铌酸锂晶体上得到周期为117μm的均匀亚微米畴结构，其纵向深度为30-50μm同时，使用脉冲宽度为100ms的宽脉冲信号得到了畴带宽度仅为015μm的非对称微畴结构1对亚微米畴结构产生的微观机制和物理过程进行了初步探讨。
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