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鲍锦库, Yun Yang, Huai-long Xu, Zi-ting Zhang, Jun-jie Liu, Wen-wen Li, Hua Ming, Jin-ku Bao*
Y. Yang et al./Phytomedicine xxx (2010) xxx-xxx,-0001,():
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关键词: Galanthus nivalis agglutinin (, GNA), -related, lectin, Polygonatum odoratum lectin (, POL), , In silico, Anti-HSV-II, Apoptosis, Caspase
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周斌, 韩明, 陆卫昌, 徐平, 赖珍荃, 沈军, 邓忠生, 吴广明, 张勤远, 陈玲燕, 王珏
强激光与粒子束,2000,12(2):181、281、381、481,-0001,():
介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Si片的定向自截止腐蚀,制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Si平面薄膜的工艺。通过台阶仪测量厚度在3~4Lm的Si平面薄膜,在扫描范围为1000Lm时,它的表面粗糙度为几十纳米;SEM测量表明,Si薄膜表面颗粒度在纳米量级;探讨了采用控制扩散、腐蚀参数和表面修饰处理来降低Si膜表面粗糙度的方法。
关键词: Si平面薄膜, 瑞利-泰勒不稳定性, ICF分解实验, 驱动光束不均匀
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周斌, 孙骐, 黄耀东, 沈军, 吴广明, 王珏
原子能科学技术,2004,38(1):79-83,-0001,():
本工作研制了用于惯性约束聚变ICF分解实验模拟聚变靶丸表面粗糙度和驱动激光空间不均匀性对R2T不稳定性作用的平面调制靶和平面薄膜靶。以激光干涉法结合图形转移工艺获得波长20~100μm、振幅010~410μm的正弦调制图形的模板,再将调制图形转移至溴代聚苯乙烯薄膜表面,制备出ICF实验用溴代聚苯乙烯平面调制箔靶;以半导体工艺结合自截止腐蚀工艺制得厚度4μm左右的自支撑Si平面薄膜靶。Si膜的表面粗糙度为几十纳米。对所研制的两种靶型的参数进行了测量。
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夏庆友, Zi-Long Wang *, Juan Li *, Qing-You Xia †, Ping Zhao, Jun Duan, Xing-Fu Zha and Zhong-Huai Xiang
,-0001,():
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关键词: Bombyx mori, homolog, in silico cloning, circadian rhythm, alternative splicing
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温志渝 , 浊志渝, 费龙
半导体光电,1995,16(3):245~247,-0001,():
介绍了一种新颖的集成硅微机械光压力传感器的结构,工作原理、制造工艺和实验结果。该传感器是利用半导体集成电路微细加工技术和各向异性腐蚀相结合的方法,将传输、获取信息的光波导,敏感弹性硅膜和光电探测集成在一块三维硅基片上得到的。它具有灵敏度高、抗干扰能力强、自身地需电源、防爆、成本低和可靠性高等优点。
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