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2005年03月31日

【期刊论文】北京正负电子对撞机次级束模拟质子单粒子效应分析

贺朝会, 李国政

,-0001,():

摘要

首次从利用高能电子打靶产生的质子做半导体器件的单粒子效应(SEE)的角度,分析了北京正负电子对撞机(BEPC)次级束中的质子的能量范围和产额,计算了三种途径下高能电子打靶产生的质子的能量范围,估算了反应截面。研究表明,选取重核做靶,可以不同程度地提高质子产生截面,质子的微分产额可达1.658×106p/s·sr·GeV/c。可以用BEPC次级束中的质子做翻转截面比较大(σ=−1082cm)的半导体器件的单粒子效应实验研究。

关键词: 北京正负电子对撞机, 质子, 单粒子效应, 半导体器件

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2005年03月31日

【期刊论文】单粒子效应研究的现状和动态

贺朝会,

,-0001,():

摘要

介绍了目前已明确定义的单粒子效应类型,从实验和理论两个方面详细探讨了单粒子效应研究方法,分析了国外单粒子效应研究的动态;介绍了国内单粒子效应研究的现状,分析了所取得的成绩;提出了今后需加强的几个方面。

关键词: 半导体器件,, 单粒子效应,, 辐射源

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2010年05月04日

【期刊论文】Ni掺杂中孔NiO2的合成及其光催化分解水性能研究

延卫, 敬登伟, 张耀君, 郭烈锦

西安交通大学学报,2005,39(7):783~785,-0001,():

摘要

合成了Ni掺杂中孔TiO2光催化剂,其吸收光谱阈值红移至500mg,500℃焙烧后依然保持中孔结构。喇曼光谱证实,这种催化剂具有锐钛矿晶型。在Na.5/Na.SO。复合牺牲剂体系下,对Ni掺杂中孔TiO2和Ni掺杂颗粒TiO2两种催化剂的产氢活性进行了考察,发现前者比后者提高了近1倍。

关键词: 中孔, 半导体 光催化, 分解水

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2011年06月23日

【期刊论文】非晶硫系玻璃半导体Ge(S, Se)2薄膜的光致效应

刘启明, 干福熹

科学通报,2002,47(8):569~571,-0001,():

摘要

报道了GeS2和GeSe2非晶半导体薄膜经过光照后,薄膜的光学透射边均出现绿移,这种绿移在预先退火后的薄膜中是可逆的,即退火薄膜经光照后光学透射边的绿移可以通过对薄膜进行第2次退火而使薄膜的光学透射边恢复到原来第1次退火的位置通过透射电子显微镜测试,在光照后的Ges2和GeSe2薄膜中观察到光致结晶现象利用薄膜的这些光致效应特性可以设计出新型的光存储材料。

关键词: Ges2和GeSe2非晶半导体薄膜 光致漂白 光致结晶 光存储

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2009年06月23日

【期刊论文】大光腔小垂直发散角In Ga As/Ga As/Al Ga As半导体激光器*

沈光地, 崔碧峰†, 李建军, 邹德恕, 廉鹏, 韩金茹, 王东凤, 杜金玉, 刘莹, 赵慧敏

物理学报,2004,53(7):2150~2153,-0001,():

摘要

提出并实现了新型隧道再生耦合大光腔半导体激光器,近场光斑宽度达到1μm ,较普通半导体激光器提高了一个数量级,有效地解决了普通半导体激光器由于发光面积狭窄而导致的端面灾变性毁坏和垂直发散角大的问题。采用低压金属有机物化学气相沉积方法生长了以C和Si分别作为掺杂剂的Al Ga As 隧道结、Ga As/In Ga As 应变量子阱有源区和新型半导体激光器外延结构,并制备出器件,其垂直发散角为20°,阈值电流密度为277APcm2,斜率效率在未镀膜时达到0.80WPA。

关键词: 半导体激光器,, 大光腔,, 隧道再生

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2009年06月23日

【期刊论文】新型多有源区隧道再生光耦合大功率半导体激光器*

沈光地, 廉鹏, 殷涛, 高国, 邹德恕, 陈昌华, 李建军, 马骁宇, 陈良惠

物理学报,2000,49(12):2374~2377,-0001,():

摘要

针对大功率半导体激光器面临的主要困难,提出并实现了一种隧道再生多有源区耦合大光腔高效大功率半导体激光器机理。该机理能有效地解决光功率密度过高引起的端面灾变性毁坏、热烧毁和光束质量差等大功率激光器存在的主要问题。采用低压金属有机化合物气相淀积方法生长了以碳和硅作为掺杂剂的GaAs隧道结、GaAs/In2GaAs 应变量子阱有源区和新型多有源区半导体激光器外延结构,并制备了高性能大功率980nm激光器件。三有源区激光器外微分量子效率达2.2,2A驱动电流下单面未镀膜激光输出功率高达2.5W。

关键词: 半导体激光器,, 大功率,, 金属有机化合物气相沉积

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2009年06月22日

【期刊论文】高压半导体功率器件的寿命控制工程述评

亢宝位, 贾云鹏, 吴郁, 吴鹤

电力电子技术,2003,37(6):89~91,-0001,():

摘要

对应用于高压功率器件的寿命控制技术进行了述评。着重分析了高能H+辐照、He2+辐照等局域寿命控制技术,利用这种技术有可能实现高压功率器件突破性的进展。

关键词: 半导体 半导体元器件/, 寿命控制技术, 轻离子辐照

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2009年05月20日

【期刊论文】半导体激光器光束修正实验研究

胡渝, 刘华, 刘盛纲

电子科技大学学报,1998,2(1):73-77,-0001,():

摘要

采用棱镜、准直透镜和柱面镜组成一个光束修正系统,可对半导体激光器的光束进行整型准直。实验结果表明,其光束发散角可压缩到1mrad以下,并接近衍射极限。该系统具有成本低,光功率损耗小,结构简单、易于操作等优点。

关键词: 半导体激光器, 光束修正, 椭圆光束, 像散

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2009年05月18日

【期刊论文】半导体微腔激光器瞬态响应及调制特性分析*

张晓霞, 潘炜, 罗斌, 吕鸿昌, 陈建国 

激光技术,2001,25(3):221~224,-0001,():

摘要

针对半导体微腔激光器的结构特点,考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应,采用传统速率方程的表示形式,建立了微腔激光器的速率方程,着重讨论了微腔激光器的瞬态响应及调制特性,给出了其动态特性的仿真结果,分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响,从而为改善微腔激光器的高频调制特性和优化器件结构提供了理论依据。

关键词: 半导体微腔激光器 瞬态响应 调制特性 自发辐射因子

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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析

张晓霞, 潘炜, 罗斌

西南交通大学学报,1999,34(4):480~484,-0001,():

摘要

依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应,分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应,比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速率变化的关系,同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径。

关键词:  半导体激光器, 自发辐射, 多量子阱, 封闭腔

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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究*

张晓霞, 潘炜, 罗斌, 邓果, 李孝峰, 陈建国

半导体学报,2005,26(2):357~362,-0001,():

摘要

基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)双稳模型,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现。结果表明,在阈值附近(大于阈值的93%)和初始相位失谐量为负的情况下,输出光功率出现双稳态。偏置电流为阈值的98%时,输入光功率在515μW和212μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好。同时,从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律。

关键词: 半导体光放大器, VCSOA, 双稳态, 开关功率, 双稳环简并

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2009年01月22日

【期刊论文】基于J2EE的制造执行系统的可重构性研究

史金飞, 何博侠, 张志胜, 戴敏

中国制造业信息化,2005,34(10):1~4,-0001,():

摘要

根据生产环境变化对制造执行系统(MES)提出的重构要求,提出了MES的三类重构因素;以半导体制造Ⅳ匝S系统的重构为例,研究了J2EE(Java 2 Platform Enterprise Edition)技术对三类重构特性的实现。实际应用表明,基于J2EE的MES可快捷地实现系统的重构,能够随生产环境变化与企业需求保持同步增长,具有良好的应用效果。

关键词: 制造执行系统, 可重构性, J2EE, 半导体制造

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2009年01月22日

【期刊论文】于虚拟机的半导体封装测试数据获取技术研究

史金飞, 曹杰, 戴敏

电子机械工程,2005,21(5):1~3,-0001,():

摘要

针对半导体封装测试机机型多、数据文件格式不统一、数据获取难的问题,提出了一种基于虚拟机的数据获取接口技术。该技术提供了描述数据文件格式的解释语言,通过建立变量类型表、变量查找表、操作符号表、函数查找表等线性查找表,对测试数据文件进行动态解释和翻译,柔性的实现了多机型数据获取软件接口。

关键词: 半导体封装, 虚拟机

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2009年01月22日

【期刊论文】网络化制造环境下企业信息管理系统设计与实现

史金飞, 陈春咏, 陈美军

中国制造业信息化,2007,36(1):16~20,-0001,():

摘要

网络化制造是企业为快速响应市场需求和提高竞争力的一种先进制造模式。以某大型半导体封装企业的信息管理系统需求为基础,分析了在网络化制造环境下企业急需解决的问题。提出了设计目标,建立了功能模型,设计了系统结构,给出了实现技术。该系统较好地解决了企业信息管理方面存在的问题,提高了企业的竞争力。

关键词: 网络化制造, 半导体封装, 信息管理

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2009年01月21日

【期刊论文】高压功率LDMOS的场极板击穿电压分析*

时龙兴, 柯导明, 陈军宁, 孙伟锋, 吴秀龙, 柯宜京

固体电子学研究与进展,2005,25(1):020~107,-0001,():

摘要

提高LDMOS的一个关键步骤是加场极板以降低其表面击穿电压。文中分析了加场极板后的LDMOS击穿电压模式,指出了场极板的分压作用和场极板边界的影响,得到了其击穿电压的计算公式并用实验验证了公式的正确性。

关键词: 横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管, 场极板, 击穿电压

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2009年03月06日

【期刊论文】半导体器件瞬态模拟的对称正定混合元方法*

羊丹平

应用数学学报,2000,23(3):444~456,-0001,():

摘要

提出具有对称正定特性的混合元格式求解非稳态半导体器件瞬态模拟问题提出一个最小二乘混合元方法、一个新的具有分裂和对称正定性质的混合元格式和一个解经典混合元方程的对称正定迭代格式求解电场位势和电场强度方程提出一个最小二乘混合元格式求解关于电子与空穴浓度的非稳态对流扩散方程,浓度函数和流函数被同时求解采用标准的有限元方法求解热传导方程建立了误差分析理论。

关键词: 半导体器件,, 数值模拟,, 最小二乘方法,, 混合元,, 误差分析

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2007年09月27日

【期刊论文】5Gb/s 单片集成GaAs MSM/ PHEMT 850nm 光接收机前端

叶玉堂, 焦世龙, 陈堂胜, 钱峰, 冯欧, 蒋幼泉, 李拂晓, 邵凯

半导体学报第28卷第4期2007年4月/CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS Vol. 28 No. 4 Apr. , 2007,-0001,():

摘要

采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端, 它包括金属-半导体-金属(MSM) 光探测器和分布放大器. 探测器光敏面积为50μm ×50μm ,电容为0.17pF,4V 偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器- 3dB带宽接近20GHz ,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz~16GHz 范围内,输入、输出电压驻波比均小于2 ;噪声系数在3.03~6.5dB之间. 光接收机前端在输入2.5和5Gb/s 非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.

关键词: 金属-半导体-金属光探测器, 分布放大器, 光接收机, 眼图

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2007年09月27日

【期刊论文】激光化学液相次序选择腐蚀新方法

叶玉堂, 刘霖, 刘娟秀, 赵素英, 范超, 吴云峰, 王昱琳

中国激光第33卷第1期2006年1月/CHINESE JOURNAL OF LASERS Vol. 33, No. 1 January. 2006,-0001,():

摘要

提出了一种激光诱导液相腐蚀新方法———次序选择腐蚀法。次序选择腐蚀是指在激光化学液相腐蚀中,腐蚀溶剂不是混合后同时作用于基片,而是按照溶剂的性能,分先后对基片进行腐蚀。实质上是采用微处理(表面处理) 再进行混合液相激光辅助下的腐蚀。理论分析和实验结果都表明,与国内外研究普遍采用的混合溶剂腐蚀法相比,次序选择腐蚀可以有效地提高腐蚀表面的均匀性;因先采用H2O2 对基片进行化学腐蚀处理,大大缩短了激光化学腐蚀的时间;利用溶剂分开,降低了激光化学腐蚀对混合溶剂精确配比的要求,使激光化学腐蚀控制和分析更加简单。这种方法可以克服常规方法的诸多弊端,提高腐蚀性能,在特殊结构光电器件和光电集成中具有广泛的应用前景。

关键词: 激光技术, 激光辅助腐蚀, 次序选择腐蚀法, 光电子, 半导体化合物

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2007年05月10日

【期刊论文】单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征

饶海波, 陈良, 占红明, 陈伟

,-0001,():

摘要

硫族半导体化合物大多具有直接能带结构,是良好的光电功能材料,其量子点具有典型的量子效应。在文章中介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点。介绍了TEM,XRD,UV-Vis 吸收谱对硫族量子点的表征。

关键词: 制备与表征, 量子点, 硫族化合物半导体 单分散性

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2006年12月06日

【期刊论文】基于Petri网的半导体生产线建模

严隽薇, 黄丹, 乔非, 吴启迪

,-0001,():

摘要

本文总结了Petri网在半导体生产线建模中的应用,着重针对半导体生产线大规模、可重入、可靠性、混合加工方式、不确定性等特殊复杂性,对多种扩展Petri网模型进行了分析和比较,并进一步探讨了基于Petri网模型和扩展Petri网模型的半导体生产线建模方法,指出了存在的问题,并探讨了可能的研究方向。

关键词: Petri网,, 半导体制造,, 模型,, 建模

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