【期刊论文】Degradation characteristics and mechanism of PMOSFETs under NBT–PBT–NBT stress
刘红侠
【期刊论文】薄栅氧化层中陷阱电荷密度的测量方法
刘红侠
【期刊论文】A study on hot-carrier-induced gate oxide breakdown in partially depleted simox mosfet`s
刘红侠
【期刊论文】闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
刘红侠
【期刊论文】An efficient optimization algorithm in integrated circuit reliability design
刘红侠
【期刊论文】The Influence of Source and Drain Junction Depth on the Sub-50nm MOSFET Devices
刘红侠
【期刊论文】GaAs PHEM T 器件的退化特性及可靠性表征方法
刘红侠
【期刊论文】Actions of negative bias temperature instability (NBTI) and hot carriers in ultra-deep submicron p-channel metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs)
刘红侠
【期刊论文】薄栅氧化层经时击穿的实验分析及物理模型研究
刘红侠
【期刊论文】A new method of thin gate SiO_2 reliability characterization
刘红侠
【期刊论文】The role of hydrogen in negative bias temperature instability of pMOSFET
刘红侠
【期刊论文】NBT导致的深亚微米PMOS器件退化与物理机理
刘红侠
【期刊论文】恒流应力下E2PROM隧道氧化层的退化特性研究
刘红侠
【期刊论文】Yield modeling based on circular defect size and a real defect rectangular degree
刘红侠
【期刊论文】应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性研究
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【期刊论文】深亚微米PMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制
刘红侠
【期刊论文】超深亚微米PMOSFET的自愈合效应
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【期刊论文】薄栅SiO_2击穿特性的实验分析和机理研究
刘红侠
【期刊论文】适用于深亚微米NMOSFET ESD效应的非本地传输模型
刘红侠
【期刊论文】Hot-carrier degradation characteristics and explanation in 0.25μ PMOSFETS