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2005年02月25日
【期刊论文】znO压敏陶瓷与有机绝缘材料间界面电荷及其作用*
李盛涛， 刘辅宜， 李博， 大木羲路
材料研究学报，1997，11（5）：479～482，-0001，（）：
-1年11月30日
用热刺激电流（TSC）和电声脉冲法研究了ZnO压敏陶瓷与绝缘材料间界面电荷分布。发现绝缘材料显著地影响界面电荷性质和密度，压敏陶瓷与聚酯型聚氨酯界面存在大量电荷，而压敏陶瓷与聚酯改性有机硅界面没有电荷。压敏陶瓷与绝缘材料间的界面电荷降低压敏电阻片的沿面脉冲闪络电压。
压敏陶瓷， 绝缘保护材料， 界面电荷， 闪络电压
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2005年02月25日
李盛涛， 刘辅宜， 金海云
材料研究学报，1996，10（2）：170～175，-0001，（）：
-1年11月30日
发现具有相变的Bi203系和不具有相变的Pr2O3系ZnO压敏陶瓷能从400℃附近起产生热释电电流，这是在高温热过程中ZnO压敏陶瓷内有电荷迁移的直接证据。研究了升温速度和热循环次数对Bi2O3系和Pr2O3系ZnO压敏陶瓷热释电规律的影响。结果表明，在一定升温速度范围内高温热释电电流，I-T曲线与升温速度无关；热历史对Pr2O3系ZnO压敏陶瓷的，I-T曲线几乎没有影响，但对Bi2O3系的，I-T曲线的影响显著、规律性强。
陶瓷， 晶界， 热释电， 电琏敏
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2005年02月25日
李盛涛， 刘辅宜， 宋晓兰
陶瓷学报，1997，18（2）：，-0001，（）：
-1年11月30日
本文采用单元掺杂与多元掺杂的方法。系统研究了几种过渡金属氧化物添加荆在控倒ZnO压敏陶瓷非线性方面的作用，并根据金属阳离子外亮层电子结构稳定性和缺陷化学反应进行了分析，认为阳离子具有不饱和外层电子结构且半径与Zn2+离子相近的过渡金属氧化物能改善ZnO压敏陶瓷非线性。
ZnO压敏陶瓷,， 点缺陷,， 晶界
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2005年02月25日
李盛涛， 张炜， 刘辅宜
，-0001，（）：
-1年11月30日
研究了在2ms脉冲电流冲击下烧银电极的ZnO陶瓷线性电阻片的破坏模式、8/20μs 标准脉冲电流冲击对表观电阻的影响规律、烧银电极的烧结温度和保温时间对表观电阻等的影响。测量了表观电阻与试样厚度的关系，进行了扫描电镜的能谱元素分析。研究结果表明，烧银电极与ZnO线性电阻陶瓷体间的电接触是非欧姆接触，其非线性指数为1.68。该非欧姆接触电阻是在烧银过程中银浆中的Pb2+离子沿晶界向瓷体内部扩散的结果，是ZnO陶瓷线性电阻片非线性指数α增大，表观电阻在8/20μs 脉冲电流冲击后下降等现象的原因。
ZnO陶瓷线性电阻， 非欧姆接触， 扩散
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2005年02月25日
李盛涛， 刘辅宜， 焦兴六
无机材料学报，1996，11（1）：90～96，-0001，（）：
-1年11月30日
本文研究了不同工艺条件制备的znO非欧姆陶瓷材料的介电和损耗特性，根据介电频谱和低温温谱，认为音频损耗机理是载流子跳跃传输，低温-138℃和-87.5℃处的损耗机制是热离子极化。实验发现并理论推导了znO非欧姆陶瓷元件的阻性电流正比于其电容和压敏电压的乘积，这一关系可作为ZnO元件的质量控制手段。
关键词znO非欧姆陶瓷,， 介电特性,， 阻性电流
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