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2009年05月18日

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国

光子学报，2000，29（7）：652～653，-0001，（）：

-1年11月30日

根据光增益与载流子密度的对数关系，通过适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析，得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量之间的依赖关系。运用相图确立了在瞬态过程中，载流子数密度和光子数密度之间的转化过程。从而为改善量子阱激光器的高频调制特性以及优化设计器件结构参数提供了理论依据。

多量子阱激光器，瞬态响应，增益饱和，相图

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2009年05月18日

【期刊论文】半导体微腔激光器瞬态响应及调制特性分析*

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国　

激光技术，2001，25（3）：221～224，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

针对半导体微腔激光器的结构特点，考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，采用传统速率方程的表示形式，建立了微腔激光器的速率方程，着重讨论了微腔激光器的瞬态响应及调制特性，给出了其动态特性的仿真结果，分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响，从而为改善微腔激光器的高频调制特性和优化器件结构提供了理论依据。

半导体微腔激光器瞬态响应调制特性自发辐射因子

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2009年05月18日

【期刊论文】DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

张晓霞，潘炜，，罗斌，邓果，李孝峰

通信学报，2004，25（9）：169～174，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）为例，选择自发辐射因子为控制参数，数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性，实现了类似于边缘发射激光器的分岔，周期加倍分岔，多稳和混沌状态的稳定控制，得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系，以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围，计算结果较好地拟合了文献实验结果。

微腔激光器， VCSEI，自发辐射因子，调制度，调制频率，分岔

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2009年05月18日

【期刊论文】VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制

张晓霞，潘炜，，罗斌，邓果，李孝峰，张伟利，陈建国

电子学报，2004，11：1789～1792，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

基于自发辐射在微腔激光器中的独特性，利用参数开关调制控制混沌的理论和技术，对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模拟. 结果表明，提高自发辐射因子可抑制VCSELs的非线性行为，通过对自发辐射因子的开关调制，可把系统由混沌状态控制到平衡态和nP周期轨道，同时给出了VCSELS各种稳定周期态、分岔数、分岔点位置和混沌带与调控参数之间的定量关系.

VCSELs，自发辐射因子，分岔，混沌，参数控制

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2009年05月18日

【期刊论文】考虑增益饱和及载流子复合效应优化设计多量子阱激光器

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国

铁道学报，2000，22（1）：110～113，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用光增益与载流子浓度的对数关系，在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项，通过适应于多量子阱激光器的速率方程，从理论上证明了对于短腔结构的激光器，阈值电流存在最小值。文中三种表述与阈值电流最小值对应的最佳阱数具有相同的表达式。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(阱数、腔长和反射率等) 之间的依赖关系。结果表明减少激光器的腔长，提高反射率有利于降低阈值电流。这将对量子阱激光器的研究和优化器件结构有所裨益。

量子阱激光器，增益饱和，载流子复合，阈值电流密度，最佳阱数

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