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2009年05月18日

【期刊论文】降低VCSELs激射阈值途径的理论研究*

张晓霞，潘炜，刘永智，陈建国

光电子激光，13（12）：1211～1214，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

针对量子阱有源层的结构特点, 考虑增益和载流子浓度呈对数关系, 建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程，导出了阈值电流密度的解析表达式。运用MA TLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真, 研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径：有源层选用量子阱实现微腔结构；腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R；改进外延生长技术以降低各种损耗。

阈值电流密度，有源区厚度，腔长，端面反射率

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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究*

张晓霞，潘炜，罗斌，邓果，李孝峰，陈建国

半导体学报，2005，26（2）：357～362，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

基于垂直腔半导体光放大器（VCSOA）双稳模型，从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现。结果表明，在阈值附近（大于阈值的93%）和初始相位失谐量为负的情况下，输出光功率出现双稳态。偏置电流为阈值的98%时，输入光功率在515μW和212μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好。同时，从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律。

半导体光放大器， VCSOA，双稳态，开关功率，双稳环简并