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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔半导体光放大器双稳及逻辑特性的理论研究*

张晓霞，潘炜，罗斌，邓果，李孝峰，陈建国

半导体学报，2005，26（2）：357～362，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

基于垂直腔半导体光放大器（VCSOA）双稳模型，从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现。结果表明，在阈值附近（大于阈值的93%）和初始相位失谐量为负的情况下，输出光功率出现双稳态。偏置电流为阈值的98%时，输入光功率在515μW和212μW处发生上下跳变的结果与实验报道结果吻合得较好。同时，从理论上给出了偏置电流、相位失谐量、线宽展宽因子、顶端面反射率等控制参数对VCSOA开关功率、跳变点、双稳环宽和环宽简并以及对比度的影响规律。

半导体光放大器， VCSOA，双稳态，开关功率，双稳环简并

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2009年05月18日

【期刊论文】DBR微腔激光器典型参数的开关调制响应及控制

张晓霞，潘炜，，罗斌，邓果，李孝峰

通信学报，2004，25（9）：169～174，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

以微腔激光器的典型代表垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）为例，选择自发辐射因子为控制参数，数值模拟了大信号深度调制情形下VCSEL的非线性动力学特性，实现了类似于边缘发射激光器的分岔，周期加倍分岔，多稳和混沌状态的稳定控制，得到分岔点位置和周期轨道与控制参数的变化关系，以及相应地调制参量和自发辐射因子的取值范围，计算结果较好地拟合了文献实验结果。

微腔激光器， VCSEI，自发辐射因子，调制度，调制频率，分岔

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2009年05月18日

【期刊论文】考虑增益饱和及载流子复合效应优化设计多量子阱激光器

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国

铁道学报，2000，22（1）：110～113，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用光增益与载流子浓度的对数关系，在受激发射速率中分别引入了增益饱和项和载流子的复合项，通过适应于多量子阱激光器的速率方程，从理论上证明了对于短腔结构的激光器，阈值电流存在最小值。文中三种表述与阈值电流最小值对应的最佳阱数具有相同的表达式。讨论了阈值电流密度、最佳阱数等与器件参数(阱数、腔长和反射率等) 之间的依赖关系。结果表明减少激光器的腔长，提高反射率有利于降低阈值电流。这将对量子阱激光器的研究和优化器件结构有所裨益。

量子阱激光器，增益饱和，载流子复合，阈值电流密度，最佳阱数

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电子科技大学，973，863首席科学家

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