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2009年05月18日

张晓霞，潘炜，刘永智，陈建国

光电子激光，13（12）：1211～1214，-0001，（）：

-1年11月30日

针对量子阱有源层的结构特点, 考虑增益和载流子浓度呈对数关系, 建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的速率方程，导出了阈值电流密度的解析表达式。运用MA TLAB软件中Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真, 研究了降低VCSEL激射阈值的3个基本途径：有源层选用量子阱实现微腔结构；腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率R；改进外延生长技术以降低各种损耗。

阈值电流密度，有源区厚度，腔长，端面反射率

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2009年05月18日

【期刊论文】用直接模拟法分析量子阱半导体激光器瞬态响应*

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国

光子学报，2000，29（7）：652～653，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

根据光增益与载流子密度的对数关系，通过适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析，得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量之间的依赖关系。运用相图确立了在瞬态过程中，载流子数密度和光子数密度之间的转化过程。从而为改善量子阱激光器的高频调制特性以及优化设计器件结构参数提供了理论依据。

多量子阱激光器，瞬态响应，增益饱和，相图

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2009年05月18日

【期刊论文】半导体微腔激光器瞬态响应及调制特性分析*

张晓霞，潘炜，罗斌，吕鸿昌，陈建国　

激光技术，2001，25（3）：221～224，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

针对半导体微腔激光器的结构特点，考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，采用传统速率方程的表示形式，建立了微腔激光器的速率方程，着重讨论了微腔激光器的瞬态响应及调制特性，给出了其动态特性的仿真结果，分析了自发辐射因子、注入电流和腔长对微腔激光器的激射阈值、延迟时间、驰豫振荡频率和光输出等参量的影响，从而为改善微腔激光器的高频调制特性和优化器件结构提供了理论依据。

半导体微腔激光器瞬态响应调制特性自发辐射因子

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2009年05月18日

【期刊论文】垂直腔面发射半导体激光器输出特性的分析

张晓霞，潘炜，罗斌

西南交通大学学报，1999，34（4）：480～484，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

依据腔量子电动力学中自发辐射增强效应，分析了垂直腔面发射半导体激光器的微腔效应，比较了普通开腔和三维封闭腔中的结果。从理论上推出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程。并讨论了其输出特性即粒子数反转和光输出随泵浦速率变化的关系，同时也讨论了利用微腔效应进一步降低半导体激光器激射阈值的途径。

　半导体激光器，自发辐射，多量子阱，封闭腔

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2009年05月18日

【期刊论文】VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制

张晓霞，潘炜，，罗斌，邓果，李孝峰，张伟利，陈建国

电子学报，2004，11：1789～1792，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

基于自发辐射在微腔激光器中的独特性，利用参数开关调制控制混沌的理论和技术，对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模拟. 结果表明，提高自发辐射因子可抑制VCSELs的非线性行为，通过对自发辐射因子的开关调制，可把系统由混沌状态控制到平衡态和nP周期轨道，同时给出了VCSELS各种稳定周期态、分岔数、分岔点位置和混沌带与调控参数之间的定量关系.

VCSELs，自发辐射因子，分岔，混沌，参数控制

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