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张玉明, 张义门, 罗晋生
半导体学报,1999,20(11):1040~1043,-0001,():
-1年11月30日
本文报道了采用电子束热蒸发的方法用铂(P t)做肖特基接触在n型6H2SiC体材料上制作肖特基二极管的工艺过程和器件特性。对实验结果进行了比较分析,I2V特性测量说明Pt/6H2SiC肖特基二极管有较好的整流特性,热电子发射是其主要的输运机理,理想因子为1123,肖特基势垒高度为1103eV,开启电压约为015V。
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张玉明, 张义门, 罗晋生
固体电子学研究与进展,2000,20(1):1~6,-0001,():
-1年11月30日
报道了多晶硅栅6H2SiCMOS场效应器件的制造工艺和器件性能。6H2SiC氧化层的SIMS分析说明在氧化过程中,多余的C以CO的形式释放,铝元素逸出极少,氧化层中因有较多的铝而正电荷密度较大,SiC的氧化速率和掺杂类型关系不大。器件漏电流都有很好的饱和特性,最大跨导为0.36mS/mm,沟道电子迁移率约为14cm2/V.s,但串联电阻效应明显。
碳化硅, 场效应晶体管, 器件工艺, 二次离子质谱分析
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