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2009年06月22日

亢宝位，程序，吴郁，刘兴明，王哲，李俊峰，韩郑生

半导体学报，2003，24（6）：586～590，-0001，（）：

-1年11月30日

提出了一种低功率损耗的新结构IGBT。该新结构的创新点在于其复合耐压层结构，该耐压层包括深扩散形成的n型缓冲层和硼注入形成的透明背发射区两部分。虽然在正常工作条件下，该新结构IGBT工作于穿通状态，但器件仍具有非穿通IGBT(NPT2IGBT）的优良特性。该新结构IGBT具有比NPT2IGBT更薄的芯片厚度，从而可以获得更好的通态压降和关断功耗之间的折衷。实验结果表明:与NPT2IGBT相比较，新结构IGBT的功率损耗降低了40%。

缓冲层，深穿通， N PT2IGBT，透明发射区

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2009年06月22日

【期刊论文】用局域寿命控制技术改善功率快恢复二极管性能的仿真研究*

亢宝位，吴鹤，吴郁，贾云鹏

半导体学报，2003，24（5）：520～527，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

针对局域低寿命区的参数对快恢复硅功率二极管性能的影响进行了系统的仿真研究，得到了全面系统的研究结果，其中包括局域低寿命区在二极管中的位置不同和局域低寿命区中复合中心能级在禁带中的位置不同对快恢复二极管的反向恢复时间(trr）、反向恢复软度因子(S）、正向压降(VF）、漏电流(IR）等各个单项性能的影响，以及对trr2S、trr2VF和trr2IR等各项性能综合折衷的影响。这些结果对高速功率器件寿命工程研究和器件制造工程都有重要的参考价值。

局域寿命控制，参数折衷，轴向位置，复合中心能级位置