中国科技论文在线

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2010年01月04日

张德贤，郝国强，张延生，张存善

电源技术，2003，27（5）：450～461，-0001，（）：

-1年11月30日

用氢气稀释的硼烷及不同氢气稀释浓度的硅烷[n（H2）/N（SiH4）=100, n（H2）/n（SiH4）=10]作为气相反应行驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备出渗硼的非晶氢化奎宁薄膜。通过拉曼光谱、激活能测度、暗电导测试表明，高氢气稀释浓度的硅烷在一定的渗杂比时[n（B2H6）/n（SiH4）=1%]，沉积出的非晶氢化硅出现了微晶结构，暗电导率可达10-1Ω-1•cm-1，激活能可达0.2eV左右，接着又用uC-Si:H与传统所有的a-SiC: H分别做电池的p层，比较了二者的I-V特征，发现uC-Si:H作为电池的p层有更大的优越性。

化学气相沉积法，做晶氢化硅，转化效率，太阳电池

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2010年01月04日

【期刊论文】PECVD法制备微晶硅薄膜的研究*

张德贤，蔡宏琨，郝延明，林列

功能材料，2004，35（增刑）：1938～1940，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

对等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）制备的微晶硅（uc-s1）薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究。从拉曼谱中可以明显看出，随着功率的增大，N型材料的非晶肩逐渐减小，材料的晶化率增大。随着温度的升高，P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低。

太阳电池，微晶硅，电导率，光学带隙

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2010年01月04日

【期刊论文】P型微晶硅薄膜材料性能的研究

张德贤，蔡宏琨，冯凯，齐龙茵，王雅欣，孙云

人工晶体学报，2006，35（5）927～938，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

本文讨论了P型微晶硅薄膜性能随硅烷浓度（SC）的变化。采用x射线衍射仪（xRD），拉曼光谱仪和傅立叶变换红外吸收光谱仪（FTIR）对薄膜的结构进行了表征。随硅烷浓度的增加，微晶硅薄膜材料的生长速率和暗电导率（σa）逐渐增大，光学带隙逐渐降低。当硅烷浓度为2.0%时，硅基薄膜材料是以非晶硅为主并有散落的微晶硅颗粒的非晶硅结构。当硅烷浓度为1.5%时，硼的掺杂效率最大，同时可观察到硼抑制薄膜晶化的现象。

太阳电池，微晶硅，非晶硅