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2005年03月31日
贺朝会， ， 耿斌， 王燕萍， 彭宏论， 杨海亮， 陈晓华， 李国政
，-0001，（）：
-1年11月30日
应用252Cf源和60Coγ源进行单粒子翻转截面与γ累积剂量的关系研究，实验结果表明，静态加电和不加电状态下，γ累积剂量对单粒子翻转截面的影响不大，无明显的规律。动态测量状态下，在存储单元中写入相同数据时，器件的单粒子翻转截面随累积剂量的增加而增大。在实验中把存储单元中的数据取反，会使器件的单粒子翻转截面恢复到未经60Coγ源辐照时的水平，甚至更低，从而抵销了累积剂量对单粒子翻转截面的影响。
静态随机存取存储器， 252Cf源， 60Coγ源， 单粒子翻转效应
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2005年03月31日
贺朝会， ， 耿斌， 惠卫东， 黄芳， 王燕萍， 李国政
，-0001，（）：
-1年11月30日
研究了在一定真空度（1Pa左右）下和辐照环境（104裂片/s、104n/s）中获得高低温的方法，特别是低温（-55～20℃）的实现技术。研制出适应于锎源辐照测量系统的高低温装置及测量控制系统，温度范围：-100～125℃，控制精度：高温±1℃；低温：±3℃。应用该系统开展了半导体存储器的重离子单粒子翻转截面随温度变化的关系研究，在国内首次得到了重离子单粒子翻转截面随温度变化的关系曲线。
低温， 高温， 锎源， 单粒子翻转， 真空
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2005年03月31日
贺朝会，
，-0001，（）：
-1年11月30日
系统分析了国外单粒子翻转率预估方法，提出了一种适合国内现状的单粒子翻转率预估方法，计算了五个典型轨道上的单粒子翻转率和轨道翻转率系数，为评价半导体器件抗单粒子效应的能力提供了依据。
空间轨道、单粒子翻转率、质子、重离子
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2005年03月31日
贺朝会， ， 耿斌， 王燕萍， 杨海亮， 张正选， 陈晓华， 李国政， 路秀琴， 符长波， 赵葵， 郭继宇， 张新
，-0001，（）：
-1年11月30日
应用重离子加速器和252Cf源进行单粒子翻转效应实验，测量得到IDT系列和HM系列静态随机存取存储器的单粒子翻转重离子LET阈值为4～8MeV.cm2/mg，单粒子翻转饱和截面为10-7cm2.bit-1量级，位单粒子翻转截面随集成度的提高而减小。实验结果表明，可以用252Cf源替代重离子加速器测量静态随机存取存储器的单粒子翻转饱和截面。
静态随机存取存储器,， 重离子加速器,， 252Cf源,， 单粒子翻转效应
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