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2011年03月16日

敖建平，敖建平*，孙国忠，闫礼，康峰，杨亮，何青，周志强，李凤岩，孙云

薄膜的特性：2008，24：1073～1079，-0001，（）：

-1年11月30日

在CuCl2、InCl3、GaCl3及H2SeO3组成的酸性水溶液电沉积体系中,对Mo/玻璃衬底上一步法电沉积Cu（In1-x,Gax）Se2（简写为CIGS）薄膜进行了研究.为了稳定溶液的化学性质,在溶液中加入邻苯二甲酸氢钾和氨基磺酸作为pH缓冲剂,将溶液的pH值控制在约2.5,并提高薄膜中Ga的含量.通过大量实验优化了溶液组成及电沉积条件,得到接近化学计量比贫Cu的CIGS薄膜（当Cu与In+Ga的摩尔比为1时,称为符合化学计量比的CIGS薄膜;当其比值为0.8-1时,称为贫Cu或富In的CIGS薄膜）预置层,薄膜表面光亮、致密、无裂纹.利用循环伏安法初步研究了一步法电沉积CIGS薄膜的反应机理,在沉积过程中,Se4+离子先还原生成单质Se,再诱导Cu2+、Ga3+和In3+发生共沉积.电沉积CIGS薄膜预置层在固态硒源280℃蒸发的硒气氛中进行硒化再结晶,有效改善了薄膜的结晶结构,且成份基本不发生变化,但是表面会产生大量的裂纹.

电沉积， Cu(， In1-x,， Gax)， Se2 薄膜，循环伏安法， pH 缓冲溶液

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2011年03月16日

【期刊论文】衬底对Cu(In,Ga)Se2薄膜织构的影响*

敖建平，李微†，何青，刘芳芳，李凤岩，李长健，孙云

物理学报：2007，56（8）：5006～5012，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

分别在苏打石灰玻璃、Mo箔、无择优取向的Mo薄膜以及（110）择优取向的Mo薄膜四种不同衬底上,采用共蒸发工艺沉积约2μm厚的Cu（In,Ga）Se2薄膜,用X射线衍射仪测量薄膜的织构,研究衬底对Cu（In,Ga）Se2薄膜织构的影响.在以上四种衬底上沉积的Cu（In,Ga）Se2薄膜的（112）衍射峰强度依次逐渐减弱,（220/204）衍射峰从无到有且强度逐渐增强.在苏打石灰玻璃和Mo箔衬底上的Cu（In,Ga）Se2薄膜具有明显的（112）择优生长,而在（110）取向的Mo薄膜衬底上,Cu（In,Ga）Se2薄膜的织构为（220/204）取向.研究结果表明,只有（110）择优取向的Mo薄膜衬底对Cu（In,Ga）Se2薄膜（220/204）织构的形成有重要影响.

择优取向,， Cu(， In,， Ga)， Se2 薄膜,，太阳电池

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2011年03月16日

【期刊论文】共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质*

敖建平，敖建平†，孙云，王晓玲，李凤岩，何青，孙国忠，周志强，李长健

半导体学报：2006，27（8）：1406～1411，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度，以三步法工艺制备CIGS（Cu（In,Ga）Se2）薄膜，通过恒功率加热衬底测试温度的变化，可实现在线组分监测，得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同，主要有（112）和（220）/（204）两种；其结晶形貌也有很大的不同，晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高，虽然从Cu/（In+Ga）<1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构，但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.

共蒸发， Cu (， In,， Ga)， Se2 (， CIGS)，，三步法工艺，薄膜太阳电池

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2011年03月16日

【期刊论文】CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能

敖建平，孙云，刘琪，何青，孙国忠，刘芳芳，李凤岩

太阳能学报：2006，27（7）：682～686，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC（NH2）2的扩散传质为控制步骤。CdS薄膜的电阻率在104～105Ω·cm之间。CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时，为六方晶和立方晶混合结构；乙酸胺浓度较大时，为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池，光电转换效率最大可达1211%，315×316cm2小面积组件为616%。立方相CdS制备的最佳电池效率达到12117%。两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。

CBD， CdS 薄膜， CIGS 太阳电池

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2011年03月16日

【期刊论文】化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质*

敖建平，，何青，孙国忠，刘芳芳，黄磊，李薇，李凤岩，孙云，薛玉明

半导体学报：2005，26（7）：1347～1352，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12110%和12117%.

化学水浴沉积， CdS， CIGS 太阳电池

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