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2005年06月22日

【期刊论文】XPS analysis of Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin film after dry-etching by CHF3 plasma

汤庭鳌

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

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2005年06月22日

【期刊论文】MFIS结构的C-V特性*

汤庭鳌，颜雷，黄维宁，姜国宝，钟琪，汤祥云

半导体学报，2000. 21（12）1204-1207，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了运用SOI-GEL方法制备的Au/PZT（铅锆钛）/ZrO 2/si结构电容即MFIs（Met-ric/Insulator/Semiconductor）电容的方法，并对其进行了SEM、C-V特性测试及 zrO2介质层介电常数分析。研究了c-V存储窗口（Memoty window）电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系，得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7-10左右，在外加电压-5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右。

不挥发非破坏性读出铁电存储器，存储窗口，铁电薄膜，电滞回线

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2005年06月22日

【期刊论文】Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术*

汤庭鳌，陈峥，邹斯洵

半导体学报，1999. 20（2）173-176，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

为制备A1/PZT/Pt/Ti电容，研究了采用SF/Ar等离子体对Pb（Zr，Ti）O3及Pt/Ti底电极进行反应离子刻（RIE）的技术。较系统地研究了RF功率，SF6/Ar流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对PZT及Ti进行RIE的优化工艺条件。在不同的条件下得到对PZT的刻蚀速率为2～7nm／min；采用纯Ar气体时Pt的刻蚀速率为2～6nm/min；对于Ti可用HCI 及H202溶液进行腐蚀。