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2005年08月05日

吴顺华，李辉亮，吴国桥，董向红

天津大学学报，1997，30（5）：653～657，-0001，（）：

-1年11月30日

用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb，Os（PSBN）系统铁电陶瓷，研完了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系。XRD分析表明：PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6（PBN）、Sr0.5Ba0.5Nb3O6（SBN）和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78（BSN）将这一个复杂的化学系统看作三元素固熔体，其中PBN、SBN和BSN各相比倒随烧结温度的不同而变化，引起PSBN系统电性能的变化。当烧结温度升高时，介电系统增大，居里温度向负温方向移动。

烧结，铁电陶瓷，介电性能

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2005年08月05日

【期刊论文】无压渗透法制备SiC颗粒增强铝基复合材料的研究*

吴顺华，石锋，钱端芬

天津大学学报，2003，36（4）：418～423，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

利用无压渗透法制备出SiCp/Al复合材料，研究了SiCp/Al系统的界面微观结构及复合材料的机械性能。研究表明：SiCp/Al系统的界面处存在着界面反应，生成Si、Al2O3和Al3C4等产物，在界面处存在着Si和Mg元素的富集；复合材料的机械性能受界面反应和Si元素富集的影响，其中界面反应是最重要的影响因素。当界面反应控制在一定程度时，在基体与增强相的界面处形成比较充分的“机械绞合”，才会使复合材料的机械性能有较大提高。界面上Si元素的富集对机械性能的影响较为复杂，一方面它可以控制界面反应的过度发生，另一方面又会产生晶格畴变，这两方面效应的叠加，使之对复合材料机械性能的影响减弱，远小于界面反应对机械性能的影响。

无压渗透法， SiCp/， Al复合材料，界面反应，微观结构，机械性能， Si元素富集

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2005年08月05日

【期刊论文】中温烧结SBN铁电陶瓷的制备与性能

吴顺华，李辉亮，王洪儒，张志萍

科学通报，1996，41（5）：468～470，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

钨青铜结构，铌酸盐，铁电材料，铁电陶瓷，制备，中温烧结绕成

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2005年08月05日

【期刊论文】两相复合介质内部电场及宏观介电常数的三维模拟

吴顺华，王国庆，赵玉双，张志萍

无机材料学报，2004，19（1）：214～222，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

建立三维模型，用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟，并由此计算出介质的宏观介电常数εm。发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型。三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实，因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确。得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式：εαm=V1εα1+V2εα2，其中α=(V21+20V1V2+5V22)/111V1+V2=1，ε1<E2。该公式与若干文献中的实验结果相吻合。

复合介质，蒙特卡洛法，有限元法，混合定律

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2005年08月05日

【期刊论文】Sn-doped BaO-TiOz-ZnO microwave ceramics

吴顺华， Wu Shunhua， Wang Guoqing， and Zhao Yushuaag

J. Mater. Res., Vol. 17, No. 6, Jun 2002，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

Sn-doped BaO-TiO-ZnO (BTZ) microwave ceramic materials were investigated as a unction of SnO2 eontent. Addition of a small amounl of SnO2 (0.01-0.06 wt%) owered the sin(cring temperature of the system to 1160℃ and also greatly reduced he dielectric loss (tail δ), which is closely related to the insulation resistivity The n-doped BTZ materials were found to have excellent dielectric properties at 1 GHz ith dielectric constant e=36. loss tangent tan δ≤1×l0-4, lemperature coefficienl of dielectric constant, α, =0±30ppm/℃, and volunme resistivty pg≥1013Ωcm.

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