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陈培毅
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期刊论文
多层Ge量子点的生长及其光学特性*
半导体学报，2003，24（9）：951～954，-0001，（）：
摘要/描述
用超高真空化学气相淀积系统在Si（100）衬底上生长了多层Ge量子点。分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸，研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响。观察到样品的低温PL 谱线有明显蓝移（87meV），Ge量子点的PL谱线的半高宽度（FWHM）为46meV，说明采用UHV/CVD生长的多层量子点适合量子光电器件的应用。
【免责声明】以下全部内容由[陈培毅]上传于[2005年02月25日 19时47分16秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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