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黄风义

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期刊论文

OPTICAL-GAIN ENHANCEMENT IN RESONANT-CAVITY HETEROJUNCTION BIPOLAR PHOTOTRANSlSTOR THROUGH EMITTER-EDGE THINNING

黄风义F. Y. Huang G. L. Zhou Z. F. Fan G. B. Gao A. E. Botchkarev B. Sverdlov and H. Morkoc

ELECTRONICS LETTERS 29th April 1993 Vol. 29 No.9,-0001,():

URL:

摘要/描述

The authors use a lateral emitter resistor in floating base GaAs/InGaAs/AIGaAs heterojunction bipolar photo-transistors to reduce the surface recombination in the vertical wall of the emitte-base junction and increase the photo-sensitivity at low injection levels. The same process also reduces the dark current in the reverse biased collector junc-tion.

【免责声明】以下全部内容由[黄风义]上传于[2005年01月28日 21时44分16秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

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