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姜涛
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期刊论文
TiN/O′-sialon复相陶瓷的常温导电性能研究
功能材料2007年第1期(38)卷，-0001，（）：
对原位TiN/O′-sialon纳米复相陶瓷(NTS)和采用“二步法”制备的TiN/O′-sialon复相陶瓷(TS)的常温导电性能进行了对比研究，并对材料TS进行了放电加工。研究结果表明，初始原料中20%(质量分数)和25%(质量分数)左右的TiO2加入量是决定材料NTS和TS中TiN能否形成导电网络的最低TiO2加入量，该导电临界值同基相O′-sialon与导电相TiN的颗粒尺寸比有关，此时相应材料的电阻率为1. 6×10-2和1. 8×10-2Ω·cm，满足放电加工的需要。烧结温度升高，两种材料的电阻率略有降低。随放电加工速度的增加，材料TS加工表面粗糙度明显增加。
【免责声明】以下全部内容由[姜涛]上传于[2008年04月15日 15时50分00秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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