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李美亚
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期刊论文
气氛氧压对脉冲激光法制备的CeO2/ Si 薄膜的结晶取向的影响*
《功能材料》，2000，31（2）：159～161，-0001，（）：
摘要/描述
用脉冲激光镀膜法，在不同的温度和氧压条件下，在Si（100）片上制备了一系列的CeO2膜。X射线衍射分析表明,在较低的氧压下生长的CeO2膜为（111）取向，在较高的氧压下生长的膜则为（100）取向。研究表明，CeO2膜的取向对氧压显示了独特的依赖性。氧压对控制膜的结晶取向具有十分重要的作用。讨论了氧压对CeO2薄膜结晶取向影响的可能机理。
【免责声明】以下全部内容由[李美亚]上传于[2006年09月05日 01时19分45秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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