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李肈基
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期刊论文
低能量He离子注入局域寿命控制L IGBT的实验研究
半导体学报第25卷第9期2004年9月/CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Vol. 25, No. 9, Sep. , 2004，-0001，（）：
摘要/描述
提出了一种采用低能量大剂量He 离子注入局域寿命控制的高速L IGBT, 并对其进行了实验研究. 粒子辐照实验结果显示与常规的L IGBT 相比较, 该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善. 同时研究了当局域寿命控制区位于p+-n结附近, 甚至在p+阳极内时, 该器件的正向压降和关断时间. 结果显示当局域寿命控制区在p+阳极内时, 仍然对关断时间和正向压降有影响.
【免责声明】以下全部内容由[李肈基]上传于[2007年09月20日 14时00分43秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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