非均匀沟道MOS 辐照正空间电荷迁移率模型，成果详细信息-中国科技论文在线

李肈基

期刊论文

非均匀沟道MOS 辐照正空间电荷迁移率模型

物理学报第53卷第2期2004年2月1000-3290/2004/53(02)/0561-05 / ACTA PHYSICA SINICA VOL. 53, NO. 2 FEBRUARY, 2004 c 2004 Chin. Phys. Soc.，-0001，（）：

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摘要/描述

提出非均匀沟道MOS 辐照正空间电荷迁移率模型. 借助镜像法导出沟道电离杂质与辐照正空间电荷的二维场和二维互作用势的分布,由此给出非均匀n沟和p沟的迁移率表示式,其解析解与二维仿真值十分吻合.还借助二维仿真器计算均匀沟道MOS辐照正空间电荷迁移率的变化值,其值和文献[2,3]实验数据一致.

关键词: 非均匀沟道MOS ，镜像法，二维互作用势

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