Effects of neutron irradiation on SiGe HBT and Si BJT devices，成果详细信息-中国科技论文在线

孟祥提

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期刊论文

Effects of neutron irradiation on SiGe HBT and Si BJT devices

孟祥提， XIANG-TI MENG ， HONG-WEI YANG ， AI-GUO KANG ， JI-LIN WANG ， HONG-YONG JIA ， PEI-YI CHEN ， PEI-HSIN TSIEN

JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE: MATERIALS IN ELECTRONICS 14-4 (2003) 199-203，-0001，（）：

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摘要/描述

The change of electrical performance of SiGe HBT and Si BJT is studied after irradiation with 1.3x10 13 and 1.0x10 14 reactor fast neutrons cm-2. Ic andβdecrease, while Ib increases generally with an increasing neutron irradiation fluence for SiGe HBT. Fo

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