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孟祥提
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期刊论文
Identification of Defects in Neutron-transmutation-doped Si by Positrons*
SCIENCE IN CHINA (Series A) Vol. 37 No.10 (1994) 1263-1271，-0001，（）：
The V and V2-type defects are dominant in NTD Si irradiated with 6x1016, 3.6xl027 and 1.2x1018 neutrons/cm2. Two distinct annealing stages of V-type defects exist: one at about 200℃ due to the annealing-out of P-V and (V2-O)- complexes; the other at about
【免责声明】以下全部内容由[孟祥提]上传于[2006年06月28日 19时15分39秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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