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孟祥提
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期刊论文
Positron-trap centers in neutron-irradiated silicon containing hydrogen
Appl. Phys. A 60, 81-85 (1995)，-0001，（）：
The defect evolution as a function of the an-nealing temperature has been studied in monocrystalline silicon grown in a hydrogen atmosphere and irradiated with 3.6x1017 neutrons/cm2. Positron lifetime spectros-copy has been used and the results compared w
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