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期刊论文
Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT
RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69,-0001,():
The change of electrical performances of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistor (HBT) and Si bipolar junction transistor (BJT) was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collecto
【免责声明】以下全部内容由[孟祥提]上传于[2006年06月28日 19时12分17秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。
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