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孟祥提
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期刊论文
Effects of hydrogen on the annealing behavior of neutron-radiation-induced defects in Si
PHYSICAL REVIEW B VOLUME 50, NUMBER 4 15 JULY 1994-Ⅱ，-0001，（）：
Positron-lifetime measurements indicate that the effect of hydrogen on the annealing behavior of de- fects in Si irradiated with 3×10 17 neutrons/cm2 is very obvious. Neutron-induced monovacancy-type defects in hydrogen-containing Si disappear at 400℃, 20
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