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汤庭鳌
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引用
期刊论文
中性空位引起的本征扩散对硅中注入砷离子在很火讨程中再分布的影响
半导体学报，1990. 11（8）643-645，-0001，（）：
摘要/描述
对硅中砷扩散系数考虑了中性空位引起的本征扩敞项的影响，推导而得出对表面浓度N.，结深xi（I）等的影响大约为5-10%。在离子注入退火的解析漠型中考虑其影响是有实际意义的。
【免责声明】以下全部内容由[汤庭鳌]上传于[2005年06月22日 23时06分47秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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