提示
汤庭鳌
-
83浏览
-
0点赞
-
0收藏
-
0分享
-
74下载
-
0评论
-
引用
期刊论文
亚微米MOs场效应管的完全解析二维模型*
半导体学报，1992. 13（9）565-572，-0001，（）：
摘要/描述
本文对二维非线性泊松方程这一基本问题进行了求解。采用一个微分算许将泊松方程分解成自由载流子部份和掺杂分布部份。自由载流子部份正是著名的刘维方程，具有解析解。掺杂分布部份采用“相似变换”的方法予以求解。将包含自由载流子影响的完全的二维电势分布用于亚微米MOS场效应管，得到了阈值电压的解析模型。它能很好地说明短沟遒效应。本解析模型的特点是其完整性反。而单性，它能很方便地用于器件模拟，也能推广到三维情况。
关键词:
【免责声明】以下全部内容由[汤庭鳌]上传于[2005年06月22日 23时08分09秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
我要评论
全部评论
共 0 条
本学者其他成果
同领域成果
