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吴洪才

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期刊论文

低能离子注入对聚吡咯甲烯的改性*

吴洪才张志刚刘效增易文辉

材料研究学报,2004,18(4):268~272,-0001,():

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摘要/描述

利用低能氮离子对聚[(3一乙酰基吡咯-2,5-二)对二甲氨基苯甲烯](Papdmabeq)薄膜进行了离子注入改性(注入能量为10~35keV、剂量为1.2×1016~2.2×1017 ions/cm2),研究了与材料三阶非线性极化率相关的物理量的变化规律。结果表明,氮离子注入使Papdmabeq薄膜的光电特性都发生了显著变化。适当能量和剂量的氮离子注入Papdmabeq薄膜后,薄膜中导电岛的数量增加,在聚合物分子链间形成了大的导电区域,导致其电导率显著提高。当注入离子的能量为25keV、剂量为2.2×1017 ions/cm2时,Papdmabeq薄膜的电导率为9.2×10-4s/cm,比本征态Papdmabeq的电导率提高了5个数量级,且离子注入后薄膜电导率的环境稳定性优于经碘掺杂的Papdmabeq。氮离子注入可以使这种聚合物薄膜在可见光范围内的光吸收大幅度提高,使共轭程度得到显著增强。当注入离子的能量为35keV、剂量为2.2×1017ions/cm2时,Papdmabeq的光学禁带宽度(Eg)由1.626eV降低到1.340eV。

【免责声明】以下全部内容由[吴洪才]上传于[2005年02月25日 00时49分13秒],版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点,与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考,并请自行承担全部责任。

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