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肖鹏
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期刊论文
CVI法快速制备C/SiC复合材料
硅酸盐学报，2002，30（2）：240～243，-0001，（）：
摘要/描述
为缩短CVI法制备C/SiC复合材料的工艺周期并降低成本，研究了CVI工艺过程中沉积温度、MTS（CH3SiC13）摩尔分数和气体流量对SiC沉积速率和MTS有效利用率的影响。实验结果表明：提高沉积温度，常压下1100℃时增大MTS摩尔分数（11%→19%），都有利于提高SiC沉积速率;提高沉积温度和降低反应物气体流量，能提高MTS有效利用率。在优化的工艺条件下，预制体的微观孔隙内沉积了致密的SiC基体，沉积速率达到142μm/h左右，并有效消除了基体中裂纹的形成.MTS的有效利用率为11%～27%。
【免责声明】以下全部内容由[肖鹏]上传于[2009年04月06日 15时26分34秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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