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闫鹏勋
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期刊论文
磁过滤等离子体制备TiN薄膜中沉积条件对薄膜织构的影响①
中国有色金属学报，2004，14（8）：1265～1268，-0001，（）：
在室温条件下，利用自行设计的平面“S”形磁过滤等离子体设备，在（111）面单晶硅上制备TiN薄膜，通过改变基底偏压和反应气体成分，即通过改变氮气和氩气的气体流量来改变沉积离子的能量和密度，从离子轰击的角度研究了沉积条件对TiN薄膜织构的影响。对薄膜的表面形貌进行观察，（θ～2θ）和1.5°掠入射2种X射线衍射方法对薄膜晶体结构和晶面取向进行了分析，对薄膜进行了电子衍射研究。结果显示磁过滤等离子制备的TiN薄膜表面平整光滑，颗粒尺寸为20～70nm，且基底偏压和氩气流量的增大促使薄膜发生（111）面的择优取向，且（111）晶面与膜表面平行，而在高氩气流量的情况下，（200）和（220）面在薄膜平面也发生了定向排列。
【免责声明】以下全部内容由[闫鹏勋]上传于[2005年07月18日 23时59分20秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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