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于威
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期刊论文
脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光
光谱学与光谱分析，2005，25（4）：506～508，-0001，（）：
摘要/描述
采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜（nc-SiC），并对薄膜的光致发光（PL）特性进行了分析。结果表明，纳米SiC薄膜的光致发光表现为300～600nm 范围内的较宽发光谱带，随退火激光能量密度的增加，nc-SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加，而470nm附近发光峰相对减小。根据nc-SiC 薄膜的结构特性变化，认为这两个发光峰分别来源于6H-SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光，并且这两种发光过程存在竞争。
【免责声明】以下全部内容由[于威]上传于[2009年07月10日 16时09分46秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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