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2007年12月22日

【期刊论文】Low Voltage Class C SiGeM icrowave Power HBTs

陈培毅

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

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2005年02月25日

【期刊论文】HV/CVD系统Si、SiGe低温掺杂外延*

陈培毅，刘志农，贾宏勇，罗广礼，林惠旺，钱佩信

半导体学报，20001，22（3）：317～321，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。 B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定。PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）。分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质。

SiGe， HBT， HV/， CVD

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2005年02月25日

【期刊论文】多晶发射极双台面微波功率SiGeHBT*

陈培毅，刘志农，熊小义，黄文韬，李高庆，张伟，许军，刘志弘，林惠旺，许平，钱佩信

半导体学报，2003，24（9）：897～901，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

研制成功了可商业化的75mm单片超高真空化学气相淀积锗硅外延设备SGE500，并生长了器件级SiGeHBT材料。研制了具有优良小电流特性的多晶发射极双台面微波功率SiGe HBT器件，其性能为：β=60@VCE/IC=9V/300μA，β=100@5V/50mA，BVCBO=22V，ft/fmax=5.4GHz/7.7GHz@10指，3V/10mA多晶发射极可进一步提供直流和射频性能的折衷,该工艺总共只有6步光刻，CMOS工艺兼容且（因多晶发射极）无需发射极外延层的生长，这些优点使其适合于商业化生产。利用60指和120指的SiGeHBT制作了微波锗硅功率放大器。60指功放在900MHz和315V/012A偏置时在1dB压缩点给出P1dB/Gp/PAE=22dBm/11dB/26.1%。120指功放900MHz工作时给出了Pout/Gp/PAE=33.3dBm （211W）/10.3dB/33.9%@11V/0.52A.

锗硅，异质结双极晶体管，微波功率放大器

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2005年02月25日

【期刊论文】应变Si沟道异质结NMOS晶体管*

陈培毅，史进，黄文涛

半导体学报，2002，23（7）：685～689，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

通过参数调整和工艺简化，制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管。该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道，相比于体Si器件在1V栅压下电子迁移率最大可提高48.5%。

应变， SiGe，跨导，迁移率

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2005年02月25日

【期刊论文】Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and Si BJT

陈培毅， MENG Xiangti )， WANG Ruipian )， KANG Aiguo)， WANG Jilin )， JIA Hongyong )， CHEN Peiyi )， and Peihsin Tsien )

RARE METALS Vol. 22, No.1, Mar 2003, p. 69，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

was studied as a function of reactor fast neutron radiation fluence. After neutron irradiation, the collector current Ic and the current gain β decrease, and the base current Ib increases generally for SiGe HBT. The higher the neutron irradiation fluence is, the larger Ib increases. For conventional Si BJT, Ic and Ib increase as well as β decreases much larger than SiGe HBT at the same fluence. It is shown that SiGe HBT has a larger anti-radiation threshold and better anti-radiation performance than Si BJT. The mechanism of performance changes induced by irradiation was preliminarily discussed.

semiconductor technology， SiGe HBT， neutron irradiation， Si BJT， electrical performance

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