采用U HV/ CVD 方法在Si (100) 衬底上生长了多层的自组织Ge 量子点，用AFM对量子点的形貌和尺寸分布进行了研究。材料的低温(10 K) PL 谱测试表明，由于量子点的三维限制作用，跟体材料的Ge 相比，Ge 量子点的NP 峰表现出87 meV的蓝移。在此基础上，流水制作了p-i-n 结构的量子点红外探测器。室温下，测得其在1. 31μm 和1. 55μm 的响应度分别为0. 043mA/ W 和0. 001 4 mA/ W，覆盖了体Si 探测器所不能达到的响应范围。

研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系。 B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，各层掺杂浓度均匀，过渡区约20nm，在整个外延层，Ge组分（x=0.20）均匀而稳定。PH3掺杂外延速率随PH3流量增加而逐渐下降；P浓度在PH3流量约为1.7sccm时达到了峰值（约6×1018cm-3）。分别按PH3流量递增和递减的顺序生长了多层结构用以研究PH3掺杂Si外延的特殊性质。

Resonant tunneling diodes (RTD) are considered as one of the most promising band-gap engineering heterostructure devices for negative differential resistance (NDR) feature in the current–voltage trace. In this letter, a p-well SiGe/Si RTD is proposed and demonstrated. Its I V relationship is obtained by Keithley 4200 semiconductor parameter analyzer, and NDR feature can be observed obviously at room temperature. The obtained peak current density is 45.92 kA/cm2, and peak to valley current ratio (PVCR) is 2.21. Considering the influence of series resistance on the I V relationship, the DC-parameter of RTD was extracted from the experimental data. This work is helpful to improve the performance of RTD and design of RTD-based circuits.