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2009年04月06日

【期刊论文】Modeling of gas phase diffusion transport during chemical vaporinfiltration process ①

肖鹏， XIAO Peng， LI Di， XU Yong-dong， HUANGBai yun

Vol. 12 NO.3 Trans. Nonferrous Met. Soc. China Jun. 2002，-0001，（）：

-1年11月30日

In order to improve the uniformity of both the concentration of gaseous reagent and the deposition of matrix within micro-pores during the chemical vapor infiltration (CVI) process, a calculation modeling of gas phase diffusion transport within micro-pores was established. Taken CH3SiCl3as precursor for de positing SiC as example, the diffusion coefficient, decomposing reaction rate, concentration within the reactor, and concentration distributing profiling of MTS within micro-pore were accounted, respectively. The results indicate that, increasing the ratio of diffusion coefficient to decomposition rate constant of precursor MTS is propitious to decrease the densification gradient of parts, and decreasing the aspect ratio (L/D) of micro-pore is favorable to make the concentration uniform within pores.

Chemical vapor infiltration， modeling， diffusion transport， composites

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2009年04月06日

【期刊论文】优化设计CV I 反应器结构的流体可视化研究*

肖鹏，徐永东，张立同，成来飞

西北工业大学学报，2001，19（1）：102～105，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

CVI反应器内气体的输运对基体的沉积速度与沉积质量有重要的影响。本文在研制了一套结构简单、可操作性强的气体流动可视化设备的基础上，通过流场模拟研究，得到的结果是：①在底部进气方式中，采用涡流器与多孔整流器，能消除中心射流与减小上部回流区域，扩大反应器的有效使用空间；使衬底与气体主流方向成一定的夹角，能有效阻止气体边界层的分离。②在侧向进气方式中，气体采用30°喷嘴与衬底成30°角喷入，能在圆柱形衬底面上形成较理想的边界层；增大衬底直径有利于消除反应器内的下部回流区。

CVI反应器,，优化设计,，气体流动可视化

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2009年04月06日

【期刊论文】不同成分对C/C-SiC材料摩擦磨损行为的影响与机理①

肖鹏，熊翔，任芸芸

中国有色金属学报，2005，15（5）：1040～1044，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

采用温压原位反应法制备C/C-SiC复合材料，研究了SiC、石墨和树脂炭成分对C/C-SiC材料摩擦磨损行为的影响及其机理。结果表明：SiC在摩擦表面摩擦膜的形成过程中起骨架作用，提高SiC的含量有利于提高摩擦系数，降低磨损率；树脂炭在材料中具有粘结各成分和提高摩擦系数的作用，但其成膜性较差，易增大磨损率；石墨粉在制动过程中起润滑作用，适量石墨粉有助于形成稳定的摩擦膜降低磨损率；摩擦表面摩擦膜的形成有利于减少C/C-SiC材料的磨损率。

C/， C-SiC，制动材料，摩擦磨损，摩擦机理

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2009年04月06日

【期刊论文】化学气相浸渗反应器内气体流场的数值模拟

肖鹏，熊翔，黄伯云

中南大学学报（自然科学版），2005，36（5）：761～765，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

控制化学气相浸渗（CVI）反应器内的反应气体流场是获得理想沉积物的关键技术之一，通过建立质量守恒、动量守恒、能量守恒和化学反应守恒4个微分方程及其边界条件，采用有限单元法对CVI反应器中复杂且不可观察的气体流场进行数值计算。数值计算结果表明，喷嘴形状及其与衬底相对位置对流场形貌有显著影响。采用π/6的斜口喷嘴，并使其中心轴线与通过它和圆柱形衬底交点切线的夹角为π/6时，反应器内基本消除了回流。

有限元，气体流场，化学气相沉积，反应器，数值模拟

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2009年04月06日

【期刊论文】CSCVI法制备C布增韧SiC基复合材料及其微观结构

肖鹏，徐永东，黄伯云

航空材料学报，2001，21（4）：33～37，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

为了提高CVI法制备C/SiC复合材料的致密化速度，提出了连续同步CVI（CSCVI）法制备C布增韧SiC基复合材料的技术路线，制备了C/SiC复合材料，并观察了其微观结构。实验结果表明,在CSCVI工艺中，SiC基体沉积速度越快，材料的致密化程度越大且致密效果越好。同时，SiC基体沉积速度只由沉积温度与MTS（CH3SiCl3）流量控制，使工艺的可操作性增强,工艺参数可在较大范围内变动。

CSCVI， CVI， C/， SiC，微观结构，致密度

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