中国科技论文在线

Based on the two-mode interference principle, the high carrier injection effect, and the free-carrier plasma dispersion effect, a directional coupling active optical switch in SiGe/Si alloy has been fabricated. Its insertion loss and crosstalk were measured to be 2.74 and -15.5dB, respectively, at the wavelength of 1.3μm and the total switching current of 110 mA. The fastest response time of the switch is up to 30 ns.

4浏览
0点赞
0收藏
0分享
136下载
0

引用

上传时间

2008年07月11日

【期刊论文】Structural and lasing characteristics of ultrathin hexagonal ZnO nanodisks grown vertically on silicon-on-insulator substrates

李宝军

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

28浏览
0点赞
0收藏
0分享
126下载
0

引用

上传时间

2008年07月11日

【期刊论文】Highly-efficient directional emission from photonic crystal waveguides for coupling of freely propagated terahertz waves into Si slab waveguides

李宝军

，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

47浏览
0点赞
0收藏
0分享
110下载
0

引用

上传时间

2005年04月04日

【期刊论文】Monolithic integration of a SiGe/Si modulator and multiple quantum well photodetector for 1.55μm operation

李宝军， Baojun Li a)， Guozheng Li and Enke Liu， Zuimin Jiang， Jie Qin， and Xun Wang

Appl. Phys. Lett., Vol. 73, No.24, 14 December 1998，-0001，（）：

-1年11月30日

摘要

The monolithic integration of a SiGe/Si rib waveguide modulator and multiple quantum well photodetector prepared by molecular beam epitaxy is achieved. The low dark current of 49.8 nA at -5 V reverse bias is measured and a modulation depth of 90% at 2.8 V modulation bias is obtained. The external quantum efficiency at λ=1.55μm is estimated to be 18.2%.

4浏览
0点赞
0收藏
0分享
110下载
0

引用

合作学者

>

李宝军邀请

中山大学，广东

尚未开通主页