Ba（Mg1/3Ta2/3）O3（简称BMT）陶瓷是A（B'1/3B''2/3)03（A=Ba，Sr；B'=Zn，Mg；B=Nb，Ta）型复合钙钛矿化合物中的一种。A位由sr离子取代Ba离子，形成（Ba1-xSrx）（Mg1/3Ta2/3）O3（简称BSMT）固溶体型化合物，也具有复合钙钛矿结构。sr含量z≥0.6时发生相转变，形成一种新的低温相，这是由于氧八面体畸变造成的。这种低温相结构与BMT六方晶系结构相比具有较低的对称性。低温相的形成，可显著降低BSMT陶瓷的烧结温度，在1500℃即可烧结致密（BMT为1600℃）。BSMT的微观结构和介电性能（如介电常数ε和介电常数温度系数αε）的变化也与此相转变有关。

建立三维模型，用蒙特卡洛有限元法对两相复合介质的内部电场分布进行模拟，并由此计算出介质的宏观介电常数εm。发现由三维模型计算出的低介相中的电场能量占总能量的比例高于二维模型。三维模型符合实际复合介质中微粒间并联程度大于串联程度的事实，因此由三维模型得出的电场分布和εm值比二维模型更加精确。得出了新的两相复合介质宏观介电常数预测公式：εαm=V1εα1+V2εα2，其中α=(V21+20V1V2+5V22)/111V1+V2=1，ε1<E2。该公式与若干文献中的实验结果相吻合。

用普通的电子陶瓷工艺制备了PbO-SrO-BaO-Nb，Os（PSBN）系统铁电陶瓷，研完了PSBN系统铁电陶瓷的介电性能与烧结温度的关系。XRD分析表明：PSBN系统铁电陶瓷的主晶相是Pb0.7Ba0.3Nb2O6（PBN）、Sr0.5Ba0.5Nb3O6（SBN）和Ba0.27Sr0.75Nb2O5.78（BSN）将这一个复杂的化学系统看作三元素固熔体，其中PBN、SBN和BSN各相比倒随烧结温度的不同而变化，引起PSBN系统电性能的变化。当烧结温度升高时，介电系统增大，居里温度向负温方向移动。

Sn-doped BaO-TiO-ZnO (BTZ) microwave ceramic materials were investigated as a unction of SnO2 eontent. Addition of a small amounl of SnO2 (0.01-0.06 wt%) owered the sin(cring temperature of the system to 1160℃ and also greatly reduced he dielectric loss (tail δ), which is closely related to the insulation resistivity The n-doped BTZ materials were found to have excellent dielectric properties at 1 GHz ith dielectric constant e=36. loss tangent tan δ≤1×l0-4, lemperature coefficienl of dielectric constant, α, =0±30ppm/℃, and volunme resistivty pg≥1013Ωcm.

用电子陶瓷工艺制备主晶相为（Zr，Sn）TiO4的介电陶瓷，（Zr，Sn）TiO4的结构属正交晶系，空间群Pbcn。研究用Fe，Ni掺杂对（Zr，Sn）TiO4陶瓷的介电性能的影响：铁掺杂降低了瓷料的烧结温度。同时减小了系统的Q值(Q=1/tgδ)；但在一定的范围内，随着Ni掺杂量的增大，Q值的下降被抑制，这可能是因为Ni离子阻碍了Fe离子扩散进入晶粒，使得Fe离子富集在晶界上，形成Fe-Ni尖晶石结构，减少了Fe对Q值的影响。