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刘建军
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期刊论文
Binding Energy of Ionized-Donor-Bound Excitons in the GaAs-AlxGa1-xAs Quantum Wells
CHIN. PHYS. LETT. Vol. 17, No. 5 (2000)，-0001，（）：
The binding energy of an exciton bound to an ionized donor impurity (D+, X) located at the center or the edge in GaAs-AlxGa1-xAs quantum wells is calculated variationally for the well width from 10 to 300
【免责声明】以下全部内容由[刘建军]上传于[2007年04月25日 11时05分00秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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