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汤庭鳌
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期刊论文
MFIS结构的C-V特性*
半导体学报，2000. 21（12）1204-1207，-0001，（）：
摘要/描述
研究了运用SOI-GEL方法制备的Au/PZT（铅锆钛）/ZrO 2/si结构电容即MFIs（Met-ric/Insulator/Semiconductor）电容的方法，并对其进行了SEM、C-V特性测试及 zrO2介质层介电常数分析。研究了c-V存储窗口（Memoty window）电压与铁电薄膜和介质层厚度比的关系，得出MFIS电容结构中最佳铁电薄膜和介质层厚度比为7-10左右，在外加电压-5V-+5V时存储窗口可达2.52V左右。
【免责声明】以下全部内容由[汤庭鳌]上传于[2005年06月22日 23时11分33秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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