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吴正云
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期刊论文
自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
量子电子学报，2003，4（2）：208～212，-0001，（）：
摘要/描述
在GaAs（100）的衬底上，采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5ML的InAs层。通过原子力显微镜（AFM）观察，证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比，分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程，较好地解释了实验结果
【免责声明】以下全部内容由[吴正云]上传于[2009年02月19日 10时32分46秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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