吴正云
主要从事纳米低维半导体材料及器件的研制和光电性质的研究。
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- 姓名:吴正云
- 目前身份:
- 担任导师情况:
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学术头衔:
博士生导师
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学科领域:
凝聚态物理学
- 研究兴趣:主要从事纳米低维半导体材料及器件的研制和光电性质的研究。
吴正云,1957年出生,1982年毕业于厦门大学物理系,获学士学位,1989年获厦门大学硕士学位,1996年获厦门大学博士学位。1989年留校后从事教学与科研工作,1993年2月至1994年3月赴美国康乃尔(Cornell)大学,从事低维半导体材料的研究,2001年12月至2002年12月赴美国罗格斯(Rutgers)大学,从事宽禁带半导体器件的研究工作。现为厦门大学物理与机电工程学院教授、副院长,全国凝聚态光学性质专业委员会委员、中国电子学会半导体与集成技术分会委员、量子电子学报编委。主要从事纳米低维半导体材料及器件的研制和光电性质的研究,在先期研究取得成果的基础上,先后主持了教育部骨干教师基金项目、福建省自然科学基金重点项目,省自然科学基金项目各一项,并且参加多项国家自然科学基金、福建省自然科学基金重点项目、福建省自然科学基金项目、"863"课题子项目的研究。已在国内外学术刊物和学术会议上发表数十篇论文。曾获国家教委(教育部)科技进步奖二等奖一次、三等奖三次,优秀教材二等奖一次;福建省优秀教学成果二等奖一次;光华科学基金三等奖一次。
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吴正云, 蔡加法, 孔令民, 陈主荣, 牛智川
厦门大学学报(自然科学版),2003,11(6):732~735,-0001,():
-1年11月30日
通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.
自组织生长InAs量子点, InGaAs覆盖层, 光致发光, 瞬态荧光谱, 寿命
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【期刊论文】不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究
吴正云, 杨克勤, 陈厦平, 杨伟锋, 孔令民, 蔡加法, 林雪娇,
量子电子学报,2005,4(2):251~255,-0001,():
-1年11月30日
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜(Ag,Gu,Ni,Cr)形成Schottky接触,研究了不同温度退火对Schottk势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合,得到各金属/4H-SiCSchottky接触的势垒高度以及理想因子。在眨向偏压100V下,样品的反向漏电流小于10-10A,说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后,发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度(SBH)随退火温度的升高而提高,超过某一温度,其整流特性变差;Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系(Or金属除外),斜率为0.11。
光电子学, 4H-SiC, Schottky势垒高度, 退火
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吴正云, 孔令民, 蔡加法, 林雪娇, 杨克勤, 沈文忠
发光学报,2002,12(6):549~553,-0001,():
-1年11月30日
分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子2声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。
InGaAs/, GaAs, 应变量子阱, 形态势模型, 时间分辨谱
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【期刊论文】自组织生长单层InAs量子点结构中浸润层与量子点发光的时间分辨谱研究
吴正云, 孔令民, 蔡加法, 陈主荣, 牛智川
量子电子学报,2003,4(2):208~212,-0001,():
-1年11月30日
在GaAs(100)的衬底上,采用MBE自组织方法生长了单层层厚分别为2和2.5ML的InAs层。通过原子力显微镜(AFM)观察,证实已在InAs层中形成量子点。采用光致发光谱及时间分辨谱对InAs量子点及浸润层开展研究和对比,分析了单层InAs量子点和浸润层中的载流子迁移过程,较好地解释了实验结果
InAs量子点, 浸润层, 时间分辩谱
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