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吴正云
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期刊论文
InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究
发光学报，2002，12（6）：549～553，-0001，（）：
摘要/描述
分别用光致发光谱（PL）、光伏谱（PV）及时间分辨谱（TRPL）的方法，测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱，发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大，但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快，这是由激子2声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁，多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算，很好地解释了实验结果。
【免责声明】以下全部内容由[吴正云]上传于[2009年02月19日 10时33分04秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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