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吴正云
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期刊论文
不同退火温度下金属/4H-SiC Schottky势垒高度的研究
量子电子学报，2005，4（2）：251～255，-0001，（）：
采用磁控溅射的方法在4H-SiC样品上分别沉积四种金属薄膜（Ag，Gu，Ni，Cr）形成Schottky接触，研究了不同温度退火对Schottk势垒高度的影响。通过对样品的I-V测试结果的拟合，得到各金属/4H-SiCSchottky接触的势垒高度以及理想因子。在眨向偏压100V下，样品的反向漏电流小于10-10A，说明样品的反向特性良好。样品经过不同温度的退火后，发现Cu、Ni与4H-SiC的势垒高度（SBH）随退火温度的升高而提高，超过某一温度，其整流特性变差；Ag、Cr的SBH在退火后降低。SBH与金属功函数呈线性关系（Or金属除外），斜率为0.11。
【免责声明】以下全部内容由[吴正云]上传于[2009年02月19日 10时33分21秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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