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叶玉堂
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期刊论文
10.6μm激光诱导扩散中热致破坏的抑制
光学学报第24卷第12期2004年12月/ACTA OPTICA SINICA Vol. 24, No. 12 December. 2004，-0001，（）：
在半导体激光诱导扩散实验中，用连续波CO210.6μm 激光聚焦后照射基片表面。为实现局部区域的选择扩散，激光光斑半径仅数十微米。要使曝光区温度达到扩散实验要求，必须使曝光区功率密度很高。另一方面，Si、InP等半导体材料对10.6μm波长激光的吸收系数随温度的升高而增大，这导致实验时容易产生热致破坏，损伤基片。在分析热致破坏的产生机理后，提出了在聚焦激光束照射下，曝光区温度的数值计算成本。计算结果表明，在半导体基片初始温度为室温时，以恒定功率的激光束照射基片，曝光区温度不有稳定在扩散试验需要的温度范围。在此基础上，提出了预热基片及对曝光区温度进行实时控制等抑制热致破坏的方法，有效地克服了这一困难。这对于用激光微细加工制作出高性能的单片光电集成电路（OEICs）器件有重要意义。
【免责声明】以下全部内容由[叶玉堂]上传于[2007年09月27日 16时17分47秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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