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张德贤
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期刊论文
PECVD法制备微晶硅薄膜的研究*
功能材料，2004，35（增刑）：1938～1940，-0001，（）：
摘要/描述
对等离子体增强化学气相沉积技术（PECVD）制备的微晶硅（uc-s1）薄膜的电导率、光学带隙和晶化率随温度和功率的变化规律进行了研究。从拉曼谱中可以明显看出，随着功率的增大，N型材料的非晶肩逐渐减小，材料的晶化率增大。随着温度的升高，P型材料的暗电导率和激活能都是先升高后降低。
【免责声明】以下全部内容由[张德贤]上传于[2010年01月04日 19时53分37秒]，版权归原创者所有。本文仅代表作者本人观点，与本网站无关。本网站对文中陈述、观点判断保持中立，不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。请读者仅作参考，并请自行承担全部责任。
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