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陈培毅

     

  

科研方向集中于新型半导体材料及器件,半导体单片集成技术、纳电子学和自旋电子学。

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  • 张卫

    复旦大学

    从事集成电路工艺、半导体材料和器件的研究。

  • 马义德

    兰州大学

    信息传输与处理、计算机应用、数字图像处理技术、生物医学工程等

  • 张庆灵

    东北大学

    主要从事于微分代数系统的结构性质及其相关控制问题的研究。

  • 吴振强

    陕西师范大学

    网络安全与信息隐藏。

  • 刘兴钊

    电子科技大学

    BST铁电薄膜、半导体SiC外延薄膜、半导体低维结构等

  • 孙正兴

    南京大学

    多媒体计算、计算机视觉和智能人机交互等,重点研究面向普适计算的智能视觉环境及其交互技术

  • 张波

    电子科技大学

    长期从事功率半导体技术、电源管理IC及专用IC的教学、科研和人才培养。

  • 朱义胜

    大连海事大学

    通信与电路方面的教学和研究

  • 姓名:陈培毅
  • 目前身份:
  • 担任导师情况:
  • 学位:
  • 学术头衔:

    博士生导师

  • 职称:-
  • 学科领域:

    电子电路

  • 研究兴趣:科研方向集中于新型半导体材料及器件,半导体单片集成技术、纳电子学和自旋电子学。
个人简介

陈培毅,男,江苏徐州人,1944年生于重庆市。现为清华大学教授,博士生导师,中国微米纳米技术学会高级会员,中国电子学会高级会员,微纳电子技术杂志编委,中国物理快报杂志特约评审。 1970年毕业于清华大学无线电系, 1981年由清华大学物理系取得理学硕士学位,并留校在清华微电子学研究所工作。1994.12~1995.12年作为访问学者在香港科技大学从事半导体工艺合作研究一年。 科研方向集中于新型半导体材料及器件,半导体单片集成技术、纳电子学和自旋电子学。目前及曾参加主持的科研项目有863“计算机芯片光互连”及“GaAs/Si单片光电子集成LD光发射器”,国家九五攻关项目“微米/纳米新器件新电路结构’’的子课题,“SiGe材料与器件研究” 等的负责人。 国家自然科学基金重点基金项目“SOI/GeSi/BiCMOS集成电路研究” 及“中子和辐照SiGeHBT中的深中心对电学性能的影响”的负责人之一。 1999.10,因“微波大功率SiGe HBT器件的研制”这一科研成果获信息产业部科技进步三等奖。申请和获得国内发明专利9项,获得美国发明专利2项。作为副导师指导博士生3名,作为导师指导博士后2名,博士生8名,硕士生6名。先后在国内外著名刊物,发表学术论文160余篇,被Sci收录30篇, EI收录63篇。

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